Puolijohdevalmistus vaatii ultra - tarkka, korroosio - kestävät kanavat:
Dimensional tarkkuus:
316L ruostumattomasta teräksestä valmistettu kanava (ASTM A276), joissa on tiukka toleranssit (± 0,1 mm), ylläpitävät kiekkotelineiden 0,5 mm: n puhdistumaa, kriittinen 5nm: n sirun tuotantoon. Taiwanin TSMC käyttää u - -kanavia 80 × 40 × 5 mm: n mitat hiukkasten tarttumisen estämiseksi.
Kemiallinen vastus:
Kanavat, joissa on 2,5% molybdeenipitoisuus, vastustavat hydrofluorivetyhappo (HF) -altistusta, kestäen 1, 000+ puhdistussyklit ilman pistämistä. Etelä -Korean Samsung työllistää nämä 300 mm: n kiekkojensa FABS: ssä vähentäen laitteiden vaihtoa 70%.
Pintapinta:
Electro - kiillotetut kanavat (RA vähemmän tai yhtä suuri kuin 0,02 μm) Minimoi hiukkasten tarttuvuus, joka täyttää puoliksi F20 -luokan 1 standardit. Japanin Tokyo Electron määrittelee JIS G4305 SUS316 -kanavat tätä kriittistä vaatimusta varten.
Alueellinen adoptio:
Yhdysvaltain puolijohdekasvit käyttävät ASTM A479 -kanavia, joiden vähimmäispaksuus on 6 mm, kun taas Kiinan SMIC suosii GB/T 1220 06 CR17NI12MO2 -kanavia kustannuksille - herkät 28NM -prosessit.